Новое поколение УФ-лазеров увеличит емкость dvd
Физикам удалось создать новый тип лазера, излучающего в ультрафиолете. Область его возможных применений простирается от биологии до хранения данных.
Полупроводниковые лазеры (на основе нитрида галлия) уже применяются на практике. Но их широкому распространению мешает несколько вещей: большой размер, стоимость и потребляемая энергия. Профессору Джианлину Лиу (Jianlin Liu) и его коллегам удалось создать ультрафиолетовый лазер по новой технологии с применением цинк-оксидных нанопроводов. Такие лазеры оказались лучше по всем параметрам, включая цену и потребляемую энергию. Также стали доступны и более короткие длины волн.
Для того, чтобы сделать p-n переход, лежащий в основе полупроводниковых лазеров, нужны материалы двух типов: "положительного" для р-слоя и "отрицательного" для n-слоя. До сих пор на нанопроводах из оксида цинка не удавалось создать p-слой, но у Лиу это получилось. Для этого оказалось достаточным лигировать ("пропитать") нанопровода сурьмой.
Соединив такой материал p-типа с материалом n-типа (также на основе нанопроводов из оксида цинка) ученым удалось создать узконаправленный лазерный луч. Об этом они сообщают в статье, вышедшей в Nature Nanotechnology.
Как признается Лиу, для того чтобы достичь надежной работы такого лазера, нужно еще немало потрудиться. А возможных применений у данной технологии масса. p-n-переход (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому.
Полупроводниковые лазеры (на основе нитрида галлия) уже применяются на практике. Но их широкому распространению мешает несколько вещей: большой размер, стоимость и потребляемая энергия. Профессору Джианлину Лиу (Jianlin Liu) и его коллегам удалось создать ультрафиолетовый лазер по новой технологии с применением цинк-оксидных нанопроводов. Такие лазеры оказались лучше по всем параметрам, включая цену и потребляемую энергию. Также стали доступны и более короткие длины волн.
Для того, чтобы сделать p-n переход, лежащий в основе полупроводниковых лазеров, нужны материалы двух типов: "положительного" для р-слоя и "отрицательного" для n-слоя. До сих пор на нанопроводах из оксида цинка не удавалось создать p-слой, но у Лиу это получилось. Для этого оказалось достаточным лигировать ("пропитать") нанопровода сурьмой.
Соединив такой материал p-типа с материалом n-типа (также на основе нанопроводов из оксида цинка) ученым удалось создать узконаправленный лазерный луч. Об этом они сообщают в статье, вышедшей в Nature Nanotechnology.
Как признается Лиу, для того чтобы достичь надежной работы такого лазера, нужно еще немало потрудиться. А возможных применений у данной технологии масса. p-n-переход (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому.
Ещё новости по теме:
18:20