Intel увеличивает производительность чипов на 37%

Четверг, 5 мая 2011 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Intel объявила о «революции» в полупроводниковой промышленности: в конце 2011 г. корпорация планирует первой приступить к серийному производству процессоров с трехмерными транзисторами, обеспечивающими максимум на 37% более высокую скорость работы.

Intel объявила о готовности первой среди производителей приступить к выпуску полупроводниковых чипов с трехмерными транзисторами. В корпорации данный шаг называют «революцией» за более чем 50-летнюю историю элементарной частицы электронного устройства.

Переход на 3D-структуру является революционным событием, объяснили в Intel, так как до настоящего момента в массовой электронике использовались исключительно планарные структуры. И это касается не только потребительской электроники, но и любых других областей - от медицинского оборудования до космических аппаратов.

«Ученые Intel вновь изобрели транзистор, в этот раз используя третье измерение, - прокомментировал президент и главный исполнительный директор Intel Пол Отеллини (Paul Otellini). - Новая технология позволит задавать темп развития индустрии и расширить горизонты закона Мура».

В соответствии с законом Мура - названным в честь одного из основателей Intel Гордона Мура (Gordon Moore), - число транзисторов в микросхемах удваивается каждые два года. Однако с приближением к 22-нм технологической норме следовать данному правилу становится все сложнее, рассказывают в корпорации. Зная о предстоящих трудностях, в 2002 г. инженеры научно-исследовательских лабораторий Intel изобрели технологию Tri-Gate.


Трехмерная структура Tri-Gate: управляющий ток протекает по трем поверхностям, вместо одного узкого канала в планарной структуре

Суть предложенной технологии заключается в использовании кремниевой подложки, из которой элементы как бы произрастают вверх, открывая управляющему току целых три поверхности, через которые он может протекать, вместо одного узкого канала в двухмерных элементах. Это снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью блокирует поток в закрытом состоянии, снижая ток утечки и позволяя транзистору очень быстро переходить из одного состояния в другое.

Трехмерные транзисторы Tri-Gate, изготовленные на базе 22-нм техпроцесса, смогут предложить максимум на 37% более высокую производительность в сравнении с обычными транзисторами, изготовленными на базе 32-нм техпроцесса. При этом чипы с новыми транзисторами смогут потреблять менее половины энергии, чем 32-нм чипы с двухмерной структурой, без снижения производительности, утверждают в Intel.

В корпорации уверены, что благодаря переходу на новую технологию они смогут следовать закону Мура в течение многих следующих лет. Кроме того, в компании рассчитывают, что технология Tri-Gate позволит существенно снизить энергопотребление чипов Intel Atom для смартфонов, что, наконец, позволит Intel выйти в сегмент карманной электроники.

Технологию трехмерных транзисторов впервые планируется применить в конце 2011 г. в массовом производстве процессоров Intel Core под кодовым названием Ivy Bridge. Эти процессоры будут выпускаться на основе 22-нм нормы. Впоследствии технологию планируется внедрить в линейку Atom.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 645
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003