Samsung начинает производство новой асинхронной DDR NAND флэш-памяти

Samsung Electronics объявляет о начале серийного производства 32-гигабитной флэш-памяти NAND на основе технологии многоуровневых ячеек по 30-нм техпроцессу с асинхронным DDR интерфейсом.

DDR NAND значительно увеличит скорость чтения и емкость носителей памяти. Новая NAND память Samsung на основе технологии многоуровневых ячеек обеспечивает скорость чтения 133 Мбитсек, что значительно превосходит показатели SDR NAND чипов (40 Мбитсек).

Новые асинхронные чипы памяти Samsung могут использоваться в твердотельных дисках (SSD), SD картах и собственной памяти Samsung moviNAND. Кроме того, новая память является идеальным решением для MP3 и медиаплееров, а также для автомобильных навигационных систем.

При использовании нового решения DDR в картах памяти сигналы передачи данных дублируются, что позволяет достичь скорости чтения до 60 Мбитсек, что на 300% превосходит средний результат SDR NAND (17 Мбитсек).

Согласно исследованию Gartner Dataquest, объем мирового рынка NAND флеш-памяти по итогам 2009 года составит 13,8 млрд. долл. США, а к 2012 году достигнет 23,6 млрд. долл. США.