Samsung разработал быстрые микросхемы флэш-памяти объемом 1 Гб

Четверг, 11 ноября 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Компания Samsung сообщила о своих успехах в разработке микросхем флэш-памяти объемом 1 Гбит по техпроцессу 90 нм. Микросхемы будут выпускаться под маркой One NAND. В первую очередь они предназначены для мобильных телефонов следующих поколений и используют интерфейс синхронизации 66 МГц. Это обеспечивает скорость чтения 108 Мб/с. Скорость записи достигает 10 Мб/с без необходимости DRAM буферизации. Это значит, что устройства с этими микросхемами памяти смогут записывать пятимегапиксельные изображения и видео VGA-качества непрерывно. Кроме того, у новых микросхем есть и функция блокировки, запрещающая запись.
Источник: TheInquirer


Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 1098
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru