Samsung разработал быстрые микросхемы флэш-памяти объемом 1 Гб

Компания Samsung сообщила о своих успехах в разработке микросхем флэш-памяти объемом 1 Гбит по техпроцессу 90 нм. Микросхемы будут выпускаться под маркой One NAND. В первую очередь они предназначены для мобильных телефонов следующих поколений и используют интерфейс синхронизации 66 МГц. Это обеспечивает скорость чтения 108 Мб/с. Скорость записи достигает 10 Мб/с без необходимости DRAM буферизации. Это значит, что устройства с этими микросхемами памяти смогут записывать пятимегапиксельные изображения и видео VGA-качества непрерывно. Кроме того, у новых микросхем есть и функция блокировки, запрещающая запись.
Источник: TheInquirer