Будущее flash-памяти связано с переходом на графеновые транзисторы

Понедельник, 24 ноября 2008 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Группа ученых из Университета Райса (г. Хьюстон, США) доложила об успешных испытаниях ячеек памяти на основе графеновых транзисторов. Материал графен был впервые выделен в 2005 году в ходе экспериментов с частицами углерода. С тех пор он считается одним из самых перспективных преемников классической кремниевой микроэлектроники.Исследователи Джеймс Тур (James Tour)...

[подробнее]

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 501
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003