Ионный ветер остудит микросхемы
Разработан новый метод отвода избыточного тепла от микросхем - намного более эффективный, чем используемые сегодня.
Проблема охлаждения микросхем по-прежнему остается одной из наиболее актуальных в современной электронике. Исследователи из центра нанотехнологий университета Пердью (США) предложили новый подход к ее решению.
Технология охлаждения с использованием основана на эффекте массопереноса с помощью заряженных частиц, которые возникают в охлаждающей камере, размещенной на поверхности микросхемы. С поверхности катода при подаче напряжения эмитируются электроны, которые устремляются к аноду, сталкиваясь с молекулами газа. Образующиеся при ионизации положительные ионы движутся под действием электрического поля в противоположном направлении, и, таким образом, возникает движение газа внутри охлаждающего устройства.
приводит в движение слой газа у нагретой поверхности. Это позволило увеличить коэффициент теплопередачи на 250% по сравнению с технологиями пассивного воздушного охлаждения. Разработчики утверждают, что простая модификация охлаждающего устройства даст увеличение этого показателя еще на 40-50%.
В опытах американских ученых расстояние между электродами составляло 10 мм. С помощью этого устройства удалось снизить температуру на поверхности микросхемы с 60 до 35 градусов Цельсия. Ученые рассчитывают сократить размеры охлаждающих устройств, а тем самым и размеры ноутбуков и других мобильных устройств, включая и телефоны. Доработка технологии и ее внедрение займут около трех лет.
На новую технологию охлаждения поданы патентные заявки, работа будет опубликована в начале сентября в Journal of Applied Physics.
Проблема охлаждения микросхем по-прежнему остается одной из наиболее актуальных в современной электронике. Исследователи из центра нанотехнологий университета Пердью (США) предложили новый подход к ее решению.
Технология охлаждения с использованием основана на эффекте массопереноса с помощью заряженных частиц, которые возникают в охлаждающей камере, размещенной на поверхности микросхемы. С поверхности катода при подаче напряжения эмитируются электроны, которые устремляются к аноду, сталкиваясь с молекулами газа. Образующиеся при ионизации положительные ионы движутся под действием электрического поля в противоположном направлении, и, таким образом, возникает движение газа внутри охлаждающего устройства.
приводит в движение слой газа у нагретой поверхности. Это позволило увеличить коэффициент теплопередачи на 250% по сравнению с технологиями пассивного воздушного охлаждения. Разработчики утверждают, что простая модификация охлаждающего устройства даст увеличение этого показателя еще на 40-50%.
В опытах американских ученых расстояние между электродами составляло 10 мм. С помощью этого устройства удалось снизить температуру на поверхности микросхемы с 60 до 35 градусов Цельсия. Ученые рассчитывают сократить размеры охлаждающих устройств, а тем самым и размеры ноутбуков и других мобильных устройств, включая и телефоны. Доработка технологии и ее внедрение займут около трех лет.
На новую технологию охлаждения поданы патентные заявки, работа будет опубликована в начале сентября в Journal of Applied Physics.
Ещё новости по теме:
18:20