Samsung разработала 2 Гб модули OneNAND flash-памяти

Корпорация Samsung объявила о том, что она разработала самую быструю и вместительную OneNAND flash-память. Новые модули будут производится с соблюдением 60 нм техпроцесса, что позволит увеличить эффективность работы.

Использование более тонкого техпроцесса, по заявлению представителей компании, позволило в два раза увеличить объем (предыдущее поколение OneNAND памяти умещало всего 1 Гб), а также увеличить скорость записи с 9.3 Мб/c до 17 Мб/с.

Потенциал использования flash-памяти, как класса накопителей, огромен. Начиная от сотовых телефонов, mp3-плееров, фото и видеокамер и заканчивая созданием жестких дисков на их основе. Например, восемь 2 Гб модулей способны выдать скорость записи 136 Мб/c. Более того, этот тип носителей не критичен к механических нагрузкам, следовательно возможность лишиться данных на этапе транспортировки минимальна. С другой стороны, каждый мегабайт объема flash-накопителей обходится намного дороже, чем HDD. Но со временем, с введением более тонких техпроцессов, такая память станет намного дешевле.