Специалисты Samsung открыли новый материал для полупроводниковых изделий

Понедельник, 6 июля 2020 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Исследователи, работающие в институте SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), объявили об открытии нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). Открытие сделано в сотрудничестве со специалистами Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета. Как утверждается, оно может ускорить появление полупроводниковых материалов следующего поколения.

В последнее время SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов из одного слоя атомов, включая графен. Исследователи разработали новый графеновый транзистор и новый метод производства монокристаллических пластин большой площади.

Недавно открытый материал, названный аморфным нитридом бора (a-BN), состоит из атомов бора и азота. Хотя аморфный нитрид бора получают из белого графена, который включает атомы бора и азота, расположенные в гексагональной структуре, аморфная молекулярная структура a-BN придет ему уникальное отличие.

Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78. Благодаря подходящим электрическим и механическим свойствам этот материал может использоваться в качестве изолирующего материала, сводящего к минимуму электрические помехи. Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при сравнительно низкой температуре 400°C. Ожидается, что аморфный нитрид бора будет широко применяться в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 164
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003