Специалисты Samsung открыли новый материал для полупроводниковых изделий
Исследователи, работающие в институте SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), объявили об открытии нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). Открытие сделано в сотрудничестве со специалистами Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета. Как утверждается, оно может ускорить появление полупроводниковых материалов следующего поколения.
В последнее время SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов из одного слоя атомов, включая графен. Исследователи разработали новый графеновый транзистор и новый метод производства монокристаллических пластин большой площади.
Недавно открытый материал, названный аморфным нитридом бора (a-BN), состоит из атомов бора и азота. Хотя аморфный нитрид бора получают из белого графена, который включает атомы бора и азота, расположенные в гексагональной структуре, аморфная молекулярная структура a-BN придет ему уникальное отличие.
Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78. Благодаря подходящим электрическим и механическим свойствам этот материал может использоваться в качестве изолирующего материала, сводящего к минимуму электрические помехи. Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при сравнительно низкой температуре 400°C. Ожидается, что аморфный нитрид бора будет широко применяться в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов.
В последнее время SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов из одного слоя атомов, включая графен. Исследователи разработали новый графеновый транзистор и новый метод производства монокристаллических пластин большой площади.
Недавно открытый материал, названный аморфным нитридом бора (a-BN), состоит из атомов бора и азота. Хотя аморфный нитрид бора получают из белого графена, который включает атомы бора и азота, расположенные в гексагональной структуре, аморфная молекулярная структура a-BN придет ему уникальное отличие.
Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78. Благодаря подходящим электрическим и механическим свойствам этот материал может использоваться в качестве изолирующего материала, сводящего к минимуму электрические помехи. Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при сравнительно низкой температуре 400°C. Ожидается, что аморфный нитрид бора будет широко применяться в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов.
Ещё новости по теме:
18:20