Специалисты IBM Research создали память PCM, способную хранить три бита в одной ячейке

Вторник, 17 мая 2016 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Технология памяти, в которой используется изменение фазового состояния носителя (phase-change memory, PCM), привлекает исследователей достаточно давно, но до широкого практического использования дело пока не дошло: в реальных системах доминируют микросхемы DRAM и NAND. Однако ситуация может измениться — ученые из IBM Research впервые продемонстрировали надежное хранение трех битов данных в ячейке PCM. Возможность хранения в одной ячейке трех битов информации повышает плотность хранения, за счет чего снижается удельная стоимость хранения.

В памяти PCM одному логическому уровню соответствует аморфное состояние вещества, второму — кристаллическое, соответствующие низкой и высокой проводимости. Память PCM — энергонезависимая, то есть сохраняет информацию в отсутствие питания. При этом от флэш-памяти она выгодно отличается высоким быстродействием и длительным сроком службы. По словам источника, число циклов перезаписи составляет не менее 10 млн. Для сравнения: современная флэш-память, используемая в SSD и флэшках, выдерживает около 3000 перезаписей.

По мнению IBM, память PCM может использоваться самостоятельно и в составе гибридных конфигураций вместе с флэш-памятью. Во втором случае PCM выступает в роли высокоскоростного буфера.

Источник: IBM Research

Теги: IBM

Комментировать

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 360
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003