Toshiba обещает приступить к серийному выпуску 3D NAND в первой половине 2014 года
Президент и генеральный директор компании Toshiba Хисао Танака (Hisao Tanaka) сообщил на встрече с представителями прессы, что японский производитель планирует начать серийный выпуск флэш-памяти с объемной компоновкой в будущем году. В этой памяти используется фирменная технология BiCS (bit-cost scalable). Разработку BiCS компания Toshiba ведет уже достаточно давно .
Источник приводит слова главы Toshiba: «Мы не решили точно, когда начинать серийное производство, но мы планируем начать его в конце этого финансового года или в начале следующего».
Как известно, в Японии финансовый год завершается 31 марта.
Говоря о новой памяти, господин Танака сказал: «Мы реализуем чипы такой площади, которую наши конкуренты никогда не смогут превзойти. Пожалуйста, не думайте, что Toshiba отстает от Samsung на полгода в серийном производстве».
Как мы уже сообщали, на прошлой неделе компания Samsung первой объявила о начале серийного выпуска флэш-памяти NAND с объемной компоновкой. Плотность чипов V-NAND, в которых используются ячейки на основе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальные соединения, составляет 128 Гбит.
Руководство Toshiba уверено в прочности позиций компании в гонке на рынке флэш-памяти NAND, отмечая, что речь идет не только о достижениях в области техпроцессов, но и о «технологическом фундаменте». Toshiba планирует освоить техпроцессы 1Ynm и 1Znm до того, как начнется выпуск памяти BiCS. Сейчас производитель использует второе поколение 19-нанометрового техпроцесса, а следующим должен стать техпроцесс нового поколения. Признавая, что с поколением 1Znm может быть достигнут физический предел уменьшения технологических норм, Toshiba рассчитывает полностью перейти на выпуск 3D NAND примерно в 2015 году.
Источник: TechOn!
#vk
Источник приводит слова главы Toshiba: «Мы не решили точно, когда начинать серийное производство, но мы планируем начать его в конце этого финансового года или в начале следующего».
Как известно, в Японии финансовый год завершается 31 марта.
Говоря о новой памяти, господин Танака сказал: «Мы реализуем чипы такой площади, которую наши конкуренты никогда не смогут превзойти. Пожалуйста, не думайте, что Toshiba отстает от Samsung на полгода в серийном производстве».
Как мы уже сообщали, на прошлой неделе компания Samsung первой объявила о начале серийного выпуска флэш-памяти NAND с объемной компоновкой. Плотность чипов V-NAND, в которых используются ячейки на основе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальные соединения, составляет 128 Гбит.
Руководство Toshiba уверено в прочности позиций компании в гонке на рынке флэш-памяти NAND, отмечая, что речь идет не только о достижениях в области техпроцессов, но и о «технологическом фундаменте». Toshiba планирует освоить техпроцессы 1Ynm и 1Znm до того, как начнется выпуск памяти BiCS. Сейчас производитель использует второе поколение 19-нанометрового техпроцесса, а следующим должен стать техпроцесс нового поколения. Признавая, что с поколением 1Znm может быть достигнут физический предел уменьшения технологических норм, Toshiba рассчитывает полностью перейти на выпуск 3D NAND примерно в 2015 году.
Источник: TechOn!
#vk
Ещё новости по теме:
18:20