ProMOS и Hynix разрабатывают 70-нм техпроцесс вместе

Компании ProMOS и Hynix Semiconductor, входящие в первую пятерку мировых производителей памяти, сообщили об объединении усилий для разработки техпроцесса следующего поколения. Речь идет о технологии производства чипов по принципу нескольких ядер на одном кристалле с нормой допуска оборудования 70 нм.

Член совета директоров ProMOS ML Chen сообщил, что компании вместе планируют основать центр исследований и разработок на территории фабрики ProMOS, расположенной в тайваньском научном парке Hsinchu. Кроме того, ProMOS со своей стороны будет выделять до 10% всех своих доходов на финансирование этого центра. О вкладе Hynix в общее дело ничего не сообщается.

О деталях новой технологии ничего сказано не было. Названы лишь приблизительные сроки начала производства продукции с использованием техпроцесса 70 нм - 2007 год. Кроме того, ProMOS будет предоставлять Hynix часть своих производственных мощностей для производства чипов для южнокорейского гиганта.

Это уже не первый случай сотрудничества ProMOS с другими производителями памяти. В частности, у все той же Hynix компания лицензировала 90-нм техпроцесс, производство чипов по которому начнется в конце этого года. Взамен Hynix получит часть мощностей ProMOS для собственных нужд. Кроме того, ProMOS ранее лицензировала 170, 140 и 110-нм техпроцессы у Infineon AG.