Samsung разработала 4 ГБ флэш-память OneNAND для мультимедийных устройств
Samsung Electronics объявила о создании чипа флэш-памяти OneNAND объемом 4 ГБ, предназначенного для использования в мультимедийных телефонах. Помимо высокой емкости он отличается ультракомпактными размерами, высокой производительностью и низким энергопотреблением.
Флэш-память типа OneNAND предлагается в качестве запоминающего устройства для сотовых телефонов третьего поколения, персональных цифровых устройств, портативных игровых систем нового поколения и высокопроизводительных цифровых фотоаппаратов. Новый чип OneNAND имеет напряжение питания 1,8 В, и по сравнению c памятью других типов, работающей при напряжении 3,3 В, его энергопотребление почти вдвое ниже. Размеры нового чипа — 11х13х1,4 мм — существенно меньше, чем у конкурирующих устройств мобильной памяти той же емкости.
Новые микросхемы отличаются высокой скоростью чтения — 108 Мб/с, что в четыре раза выше, чем у обычной NAND-памяти, а также высокой скоростью записи — 10 Мб/с, что в 60 раз превосходит скорость записи флэш-памяти типа NOR. На 4-гигабитном чипе, для примера, можно хранить 250 снимков, полученных с помощью 5-мегапиксельной камеры сотового телефона, или более 120 музыкальных файлов.
В настоящее время Samsung Electronics имеет широкую линейку микросхем OneNAND емкостью от 128 МБ до 4 ГБ и предлагает программное обеспечение, с помощью которого память может быть оптимизирована для работы с любыми операционными системами, применяющимися в мобильных устройствах, включая Symbian и Linux.
С технической точки зрения, 4-ГБ память OneNAND представляет собой четыре чипа памяти OneNAND объемом 1 ГБ каждый, собранные в четырехслойном пакете (Quad Die Package). Чипы производятся с использованием 90-нм техпроцесса, запущенного в производство в ноябре 2004 года.
Согласно исследованиям iSuppli, годовой объем продаж 3G-телефонов к 2008 году достигнет 240 млн. штук при ежегодном росте в 87%.
Массовое производство 4 ГБ флэш-памяти OneNAND начнется уже в июле.
Флэш-память типа OneNAND предлагается в качестве запоминающего устройства для сотовых телефонов третьего поколения, персональных цифровых устройств, портативных игровых систем нового поколения и высокопроизводительных цифровых фотоаппаратов. Новый чип OneNAND имеет напряжение питания 1,8 В, и по сравнению c памятью других типов, работающей при напряжении 3,3 В, его энергопотребление почти вдвое ниже. Размеры нового чипа — 11х13х1,4 мм — существенно меньше, чем у конкурирующих устройств мобильной памяти той же емкости.
Новые микросхемы отличаются высокой скоростью чтения — 108 Мб/с, что в четыре раза выше, чем у обычной NAND-памяти, а также высокой скоростью записи — 10 Мб/с, что в 60 раз превосходит скорость записи флэш-памяти типа NOR. На 4-гигабитном чипе, для примера, можно хранить 250 снимков, полученных с помощью 5-мегапиксельной камеры сотового телефона, или более 120 музыкальных файлов.
В настоящее время Samsung Electronics имеет широкую линейку микросхем OneNAND емкостью от 128 МБ до 4 ГБ и предлагает программное обеспечение, с помощью которого память может быть оптимизирована для работы с любыми операционными системами, применяющимися в мобильных устройствах, включая Symbian и Linux.
С технической точки зрения, 4-ГБ память OneNAND представляет собой четыре чипа памяти OneNAND объемом 1 ГБ каждый, собранные в четырехслойном пакете (Quad Die Package). Чипы производятся с использованием 90-нм техпроцесса, запущенного в производство в ноябре 2004 года.
Согласно исследованиям iSuppli, годовой объем продаж 3G-телефонов к 2008 году достигнет 240 млн. штук при ежегодном росте в 87%.
Массовое производство 4 ГБ флэш-памяти OneNAND начнется уже в июле.
Ещё новости по теме:
18:20