Неорганические многоцветные светодиоды стали ближе
Группе ученых из Лос-Аламосской национальной лаборатории Калифорнийского университета удалось разработать полностью неорганические многоцветные светодиоды (LED), основанные на коллоидных квантовых точках, инкапсулированных в полупроводник нитрид галлия (GaN). Работа реализует "гибридный" подход к созданию твердофазных люминофоров, которые в отличии от жидких, характеризуются меньшими эксплуатационными расходами, пониженным потреблением энергии и более надежной работой.
Ученые уже заявили о первой удачной демонстрации полностью неорганической электролюминесценции на основе нанокристалической архитектуры, где нанокристалы полупроводника включены в p-n переход, сформированный из слоев-источников GaN. При создании этих LED применяются новейшие цветовые наноизлучатели, коллоидные квантовые точки и специальные технологии обработки GaN.
"Полупроводниковые нанокристалы, известные как квантовые точки, являются превосходными светоизлучателями. Они, кроме того что дают возможность контролировать цвет и яркость излучаемого света, обладают химической гибкостью и фотостабильностью. Использованию нанокристалов в светодиодах, всегда препятствовало то, что их трудно включать в электрические соединения. Мы сумели обойти это ограничение, поместив нанокристалы между слоями-источниками полупроводника GaN", сказал профессор Климов, руководитель группы.
Это было бы сложно сделать без использования еще одной разработки Лос-Аламосских ученых. Группа Марка Хоффбауера (Mark Hoffbauer) разработала способ создания с помощью энергетических лучей и нейтральных атомов азота тонких пленок из GaN. Технология называемая ENABLE (Energetic Neutral Atom Beam Lithography/Epitaxy), позволяет проводить низкотемпературную инкапсуляцию нанокристалов в полупроводник, сообщил LANL.
Ученые уже заявили о первой удачной демонстрации полностью неорганической электролюминесценции на основе нанокристалической архитектуры, где нанокристалы полупроводника включены в p-n переход, сформированный из слоев-источников GaN. При создании этих LED применяются новейшие цветовые наноизлучатели, коллоидные квантовые точки и специальные технологии обработки GaN.
"Полупроводниковые нанокристалы, известные как квантовые точки, являются превосходными светоизлучателями. Они, кроме того что дают возможность контролировать цвет и яркость излучаемого света, обладают химической гибкостью и фотостабильностью. Использованию нанокристалов в светодиодах, всегда препятствовало то, что их трудно включать в электрические соединения. Мы сумели обойти это ограничение, поместив нанокристалы между слоями-источниками полупроводника GaN", сказал профессор Климов, руководитель группы.
Это было бы сложно сделать без использования еще одной разработки Лос-Аламосских ученых. Группа Марка Хоффбауера (Mark Hoffbauer) разработала способ создания с помощью энергетических лучей и нейтральных атомов азота тонких пленок из GaN. Технология называемая ENABLE (Energetic Neutral Atom Beam Lithography/Epitaxy), позволяет проводить низкотемпературную инкапсуляцию нанокристалов в полупроводник, сообщил LANL.
Ещё новости по теме:
18:20