Samsung разработал память 4 ГБ OneNAND для мобильных телефонов

Среда, 20 апреля 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания Samsung сообщила о разработке памяти OneNAND объемом 4 ГБ. Как ожидается, данный тип памяти будет востребован в компактных 3G-телефонах и КПК. Модуль работает от напряжения 1,8 В, что почти наполовину меньше современных типов памяти, у которых этот показатель составляет 3,3 В.
Размеры памяти составляет 11х13х1,4 мм. Скорость считывания данных в модели составляет 108 МБ/сек, что приблизительно в 4 раза больше существующих нынче NAND. Скорость записи – 10 МБ/сек. Емкость памяти позволяет сохранить 250 снимков, снятых 5-мегапиксельной камерой и 120 музыкальных файлов.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 475
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru