Создан самый быстрый в мире транзистор

Среда, 13 апреля 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Американские исследователи создали самый быстрый в мире транзистор, который может стать основой электронных чипов нового поколения. Ученые Милтон Фенг (Milton Feng) и Вэлид Хейфз (Walid Hafez) из университета в Иллинойсе (University of Illinois), разработали сверхбыстрый транзистор, путем наложения различных полупроводниковых слоев, в структуре микроскопического устройства. Длина полупроводника составляет одну миллионную метра, а максимальная скорость работы - 604 ГГц - это означает, что транзистор способен проводить 604 млрд. операций в секунду. Исследователи разработали особый тип компонента, известный как биполярный переходной транзистор, который состоит из трех расположенных друг на друге слоев.

Сила тока зависит от направления, его прохождения через три слоя - слои базы, эмиттера и коллектора. Управляя током, походящим через базу к эмиттеру, можно управлять током, между эмиттером и коллектором. Для изготовления слоев был использован кристаллы фосфида индия, арсенида индия и галлия. Основой повышения производительности транзистора послужило то, что ученые модифицировали состав слоя коллектора, увеличив долю индия, а это повлияло на кристаллическую решетку материала, облегчив прохождение электронов. По заявлению одного из ученых, электроны не только стали передвигаться быстрее, но и дальше на невероятно больших скоростях, прежде чем остановиться в атомах коллектора. К сожалению, транзисторы не приспособлены для управления электрическим полем, как в компьютерных компонентах, однако для радиоприемников они подойдут идеально, заявил Кэвин Крэвэл (Kevin Krewell), главный редактор издания Microprocessor Report. www.newscientist.com




Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 748
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru