Samsung представила 3-битную, 20-нанометровую, 64-гигабайтную NAND-память

Компания Samsung разработала новое поколение флеш-памяти типа NAND с плотностью три бита на ячейку, техпроцессом 20 нанометров и емкостью 64 Гб, сообщает Electronista. Это значительный шаг вперед по сравнению с 32-гигабайтными модулями, которые производились еще в апреле. Поскольку Apple активно использует память Samsung в своих iOS-устройствах, уже пошли слухи, что в новом поколении этих устройств существенно возрастет объем памяти при той же цене.

В новой разработке Samsung удвоила объем памяти и увеличила ее производительность на 60% в сравнении с предыдущим поколением, представленным всего год назад. В новом NAND-модуле на каждом чипе хранится 8 Гб данных (в сравнении с 4 Гб раньше), а технология Toggle DDR обеспечивает прирост скорости, что критично при использовании в оперативной памяти.

Samsung принадлежит около 40% мирового рынка NAND-памяти, а одним из крупнейших клиентов является Apple. Память Samsung используется в iPad и новых моделях Apple TV и iPod touch. Флеш-память также находит широкое применение в твердотельных дисках и картах памяти для фотоаппаратов, камер и смартфонов.