Infineon и Samsung выпустили смарткарты с высокой плотностью

Пятница, 5 ноября 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

По сообщению ComputerWeekly, компании Infineon и Samsung отдельно друг от друга анонсировали новые смарткарты повышенной плотности.

Infineon применила в своей модели технологию, построенную по принципу наслоения чипов. Подобная конструкция позволила увеличить в 8 раз плотность по сравнению с имеющимися на данный момент картами. Чипы в карте, например, контроллер безопасности и чип памяти, соединены между собой с помощью тонких контактов, что позволило сэкономить пространство.

Первые поставки чипов емкостью 1 МБ начнутся во втором квартале 2005 года. Эти модели могут быть использованы в SIM картах мобильных телефонов. Во втором квартале 2006 года компания планирует выпустить чипы объемом 20 МБ.
Компания Samsung также объявила о разработке чипа EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM) емкостью 512 КБ. Модель является первым чипом, построенным на основе 0,13 микронной технологии. Новинка поддерживает расширенную технологию пользовательской идентификации USIM (Universal SIM) и UIM, использующихся в телефонах 3G. Компания Samsung планирует запустить в массовое производство подобные карты во втором квартале 2005 года.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 489
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Ноябрь 2003: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
Rating@Mail.ru