Toshiba представила чипы памяти FeRAM объёмом 128 Мбит

Три года назад компания Toshiba в сотрудничестве с NEC представила новый тип памяти FeRAM (Ferroelectric random-access memory). По своему устройству она похожа на память типа DRAM, в которой слой диэлектрика заменен слоем сегнетоэлектрика. Тогда были показаны чипы объёмом 64 Мбит, а главным достоинством новинки была возможность сохранять данные даже после отключения электропитания, подобно памяти типа NAND. При этом FeRAM способна обеспечить скорость, сопоставимую с той, которую показывают привычные чипы DRAM. ...

[подробнее]