Анонсированы первые в мире 40-нм микросхемы памяти

Пятница, 6 февраля 2009 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания Samsung сообщила о создании первой в мире микросхемы динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), изготовленной с применением 40-нанометровой технологии.

 

Как сообщает Softodrom, со ссылкой на Informationweek, были продемонстрированы образцы 40-нанометровых микросхем DDR2 емкостью 1 гигабайт, а также модули DDR2-800 SODIMM объемом 1 Гб. Эти микросхемы уже сертифицированы для работы совместно с набором системной логики Intel GM45 Express, который предназначен для использования в ноутбуках.

 

Массовое производство микросхем памяти по 40-нанометровой технологии Samsung планирует начать в конце текущего года, при этом на начальном этапе будут поставляться модули DDR3 емкостью 2 ГГб. В 2010 году начнутся поставки микросхем DDR2, изготовленных с использованием 40-нанометрового техпроцесса.

 

Отмечается, что микросхемы памяти, изготовленные по 40-нанометровой технологии, обладают на 30% меньшим энергопотреблением по сравнению с микросхемами, произведенными с использованием 50-нанометрового техпроцесса, что позволит несколько увеличить время автономной работы ноутбуков.

 

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 627
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003