Samsung начнет производство 50-нм DRAM чипов в 2008 году

Одна из крупнейших полупроводниковых компаний, корпорация Samsung, объявила о выпуске первого образца DDR2 Dynamic Random Access Memomry (DRAM) чипа, который произведен по техпроцессу 50 нм. Ожидается, что массовое производство будет начато уже в 2008 году.

Использование 50-нм техпроцесса в совокупности с трехмерным дизайном позволяет увеличить на 55% число годных чипов, - сообщает компания. Впрочем, воспринимать всерьез слова компании несколько рано.


Пока не известно энергопотребление и тепловыделение новых чипов. С одной стороны новая упаковка чипа обеспечивает меньшие размеры, с другой стороны более плотное (объемное) расположение элементов влечет к несколько худшему отводу тепла. Аналогичные выводы можно сделать о техпроцецессе. Хотя на переключение затвора транзистора требуется меньше энергии, ввиду меньших размеров самого затвора, однако, опять мы наблюдаем же более плотное расположение транзисторов.