Micron представила первые образцы DDR3 памяти
Переход с DDR1 на DDR2 начался более 3 лет назад с выпуска Hynix 1 Гб модуля DDR2 памяти в августе 2003 года. Недавно переход вошел в свою последнюю стадию, когда AMD представила сокет AM2 для своих процессоров. Появление третьего поколения памяти уже на горизонте.
Сегодня Micron сообщила о создании ей первых образцов DDR3 памяти. Модули памяти построены на 78 нм техпроцессе и будут представлены 512 Мб, 1 Гб и 2 Гб версиями с шиной памяти в 800 МГц и 1066 МГц. Micron обещает, что DDR3 чипы смогут достичь частоты 1600 МГц, тогда они станут в 2 раза быстрее современной DDR2-800 памяти.
Модули памяти Micron DDR3
Intel уже занята разработкой DDR3 чипсета, выход которого состоится во второй половине следующего года. По планам компании параллельное существование платформ для DDR2 и DDR3 памяти будет до конца 2008 года.
Кроме увеличения производительности, новая память отличается улучшенным энергопотреблением: так DDR2-800 потребляет 1,8 В, тогда как DDR3-800 - 1,5 В. При этом DDR3-1600 будет потреблять значительно больше энергии, чем самая быстрая память на сегодняшний день.
Micron говорит, что объем памяти ограничен 2 Гб на планку, максимальный общий объем системной памяти составит 4 Гб (4 планки по 1 Гб) - для рабочих станций и 8 Гб (4 планки по 2 Гб) - для серверов, однако стоимость последней окажется около $2000.
Начало продаж намечено на второй квартал следующего года.
Источник: TGDaily
Сегодня Micron сообщила о создании ей первых образцов DDR3 памяти. Модули памяти построены на 78 нм техпроцессе и будут представлены 512 Мб, 1 Гб и 2 Гб версиями с шиной памяти в 800 МГц и 1066 МГц. Micron обещает, что DDR3 чипы смогут достичь частоты 1600 МГц, тогда они станут в 2 раза быстрее современной DDR2-800 памяти.
Модули памяти Micron DDR3
Intel уже занята разработкой DDR3 чипсета, выход которого состоится во второй половине следующего года. По планам компании параллельное существование платформ для DDR2 и DDR3 памяти будет до конца 2008 года.
Кроме увеличения производительности, новая память отличается улучшенным энергопотреблением: так DDR2-800 потребляет 1,8 В, тогда как DDR3-800 - 1,5 В. При этом DDR3-1600 будет потреблять значительно больше энергии, чем самая быстрая память на сегодняшний день.
Micron говорит, что объем памяти ограничен 2 Гб на планку, максимальный общий объем системной памяти составит 4 Гб (4 планки по 1 Гб) - для рабочих станций и 8 Гб (4 планки по 2 Гб) - для серверов, однако стоимость последней окажется около $2000.
Начало продаж намечено на второй квартал следующего года.
Источник: TGDaily
Ещё новости по теме:
18:20