Ibm сотоварищи создали 45-нм техпроцесс

Понедельник, 4 сентября 2006 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компании IBM, Chartered, Infineon и Samsung объявили о готовности производственного процесса и проектных норм для 45-нанометровых кремниевых чипов с низким энергопотреблением. Уже к концу 2007 года планируется развернуть их массовое производство на фабриках Chartered, IBM и Samsung.
Первые работающие чипы, изготовленные по 45-нм нормам, будут использоваться в системах связи следующего поколения. Их выпуск будет осуществляться на 300-мм производственной линии IBM в городе Ист-Фишкил, штат Нью-Йорк. Среди блоков, которые успешно прошли тестирование, были узлы для библиотеки стандартных компонентов и элементы ввода-вывода разработки Infineon, а также встроенная память, разработанная специалистами альянса.

Производство IBM в городе Ист-Фишкил

"Полученные результаты – это еще один важный рубеж в нашей успешной стратегии создания оптимальных решений путем максимально раннего использования самых передовых технологических платформ, – говорит Герман Эул (Hermann Eul), член правления и президент подразделения Communication Solutions компании Infineon Technologies. – Первые 45-нм структуры являются примером самой передовой технологии, сочетающей высокую производительность и низкое энергопотребление". По его словам это решение должно будет удовлетворить потребности следующего поколения мобильных устройств.
Компании не только представили первые реализованные микросхемы, но и объявили о готовности наборов средств их проектирования для разработчиков. В этих наборах воплощен опыт проектирования, накопленный специалистами всех четырех компаний. Они предназначены для упрощения перехода проектировщиков специализированных чипов к новому технологическому процессу, а также для стимулирования производства единой конструкции на нескольких производственных предприятиях с целью эффективного использования проектных наработок и обеспечения максимальной полезности для потребителей, говорится в пресс-релизе.
Первые результаты работы чипов показали, что производительность 45-нм узлового устройства, по меньшей мере, на 30% выше, чем у 65-нм узла. "Дополнительным преимуществом для заказчиков является гибкость доступа к этой технологии благодаря поддержке формата GDSII всеми производственными предприятиями", отмечает Лиза Су (Lisa Su), вице-президент научно-исследовательского центра IBM по полупроводниковым технологиям и руководитель совместной группы разработчиков альянса.
Первую работающую микросхему, выполненную по 45-нм технологическому процессу, еще в январе 2006 года продемонстрировала компания Intel. Микросхема статической памяти содержала более 1 миллиарда транзисторов, а ток утечки в ней был снижен более чем в пять раз по отношению к 65-нм микросхемам. Массовое производство устройств также было намечено на 2007 год.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 436
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Январь 2012: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31