Компания Infineon опробовала 65-нм технологию на фабриках своих партнеров
В сотрудничестве с IBM, Chartered Semiconductors и Samsung, компания Infineon выпустила первые образцы логических микросхем, используя нормы 65-нм технологического процесса.
Образцы, о которых идет речь, предназначены для опробования продукции, разработанной компанией: в частности, микропроцессора на ядре ARM9 и ядра цифрового процессора сигналов (DSP), которые будут использованы, как узлы при проектировании микросхем для сотовых телефонов. Кроме того, пробные кристаллы содержали несколько библиотечных элементов и макросов, элементы памяти (SRAM, ROM), радиочастотные блоки и цепи смешанной обработки сигналов.
На первом этапе, Infineon рассчитывает использовать 65-нм технологию в секторе элементной базы для сотовых телефонов. Например, микросхема, в которой будут интегрированы цифровые и радиочастотные цепи, станет основой для недорогих аппаратов. Поставки заказчикам ознакомительных образцов начнутся в этом квартале, а массовый выпуск намечено развернуть к четвертому кварталу текущего года. 2006.
Компания отходит от использования собственных мощностей. Известно, что в Infineon не планировали осваивать выпуск логических микросхем по нормам меньше 90 нм на своем производстве. Тестовые образцы, о которых идет речь, были выпущены на фабриках IBM в Нью-Йорке и Chartered Semiconductors в Сингапуре. Стратегическая линия развития компании предусматривает массовый выпуск продукции на мощностях Chartered Semiconductor. Таким образом, Infineon рассчитывает освоить современные технологии, не делая больших капитальных вложений в строительство собственной 65-нм фабрики.
Напомним, речь идет о логических микросхемах и не касается динамической памяти. Для последней, Infineon, в сотрудничестве с тайваньской компанией Nanya Technology, разрабатывает 70-нм процесс. Первые образцы продукции были получены несколько месяцев назад, работы идут по плану.
Источник: EE Times
Образцы, о которых идет речь, предназначены для опробования продукции, разработанной компанией: в частности, микропроцессора на ядре ARM9 и ядра цифрового процессора сигналов (DSP), которые будут использованы, как узлы при проектировании микросхем для сотовых телефонов. Кроме того, пробные кристаллы содержали несколько библиотечных элементов и макросов, элементы памяти (SRAM, ROM), радиочастотные блоки и цепи смешанной обработки сигналов.
На первом этапе, Infineon рассчитывает использовать 65-нм технологию в секторе элементной базы для сотовых телефонов. Например, микросхема, в которой будут интегрированы цифровые и радиочастотные цепи, станет основой для недорогих аппаратов. Поставки заказчикам ознакомительных образцов начнутся в этом квартале, а массовый выпуск намечено развернуть к четвертому кварталу текущего года. 2006.
Компания отходит от использования собственных мощностей. Известно, что в Infineon не планировали осваивать выпуск логических микросхем по нормам меньше 90 нм на своем производстве. Тестовые образцы, о которых идет речь, были выпущены на фабриках IBM в Нью-Йорке и Chartered Semiconductors в Сингапуре. Стратегическая линия развития компании предусматривает массовый выпуск продукции на мощностях Chartered Semiconductor. Таким образом, Infineon рассчитывает освоить современные технологии, не делая больших капитальных вложений в строительство собственной 65-нм фабрики.
Напомним, речь идет о логических микросхемах и не касается динамической памяти. Для последней, Infineon, в сотрудничестве с тайваньской компанией Nanya Technology, разрабатывает 70-нм процесс. Первые образцы продукции были получены несколько месяцев назад, работы идут по плану.
Источник: EE Times
Ещё новости по теме:
18:20