Samsung представила первые чипы памяти GDDR4

Компания Samsung Electronics разработала чипы графической памяти четвертого поколения GDDR4, которые показывают рекордную на сегодняшний день производительность. Пропускная способность новых чипов памяти от Samsung составляет 10 Гбайт/сек, что значительно превышает подобный показатель GDDR3-памяти, равный 6.4 Гбайт/сек.


Samsung Electronics использовала технологии DBI (Data Bus Inversion) и Multi-Preamble для увеличения производительности чипов GDDR4, которые благодаря подобным нововведениям имеют на 56% более высокую скорость передачи данных, по сравнению с графическими чипами памяти, представленными на текущий момент на рынке.

Компания сообщила о начале поставок первых образцов чипов заинтересованным клиентам для проведения тестирования; массовое производство GDDR4 памяти стартует во второй половине 2006 года. Не остается сомнений, что новые чипы будут пользоваться широким спросом в свете широкого распространения Hi-End видеокарт, для которых память GDDR4 и предназначена. Чипы будут также использоваться и в рабочих станциях, игровых консолях и так далее.