SK hynix начинает серийное производство памяти HBM2E

Четверг, 2 июля 2020 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания SK hynix объявила о начале полномасштабного серийного производства высокоскоростной памяти DRAM или HBM2E. О разработке этой памяти южнокорейский производитель сообщил в августе прошлого года. Другими словами, на освоение серийного производства HBM2E компании понадобилось около 10 месяцев.

Располагая 1024-разрядной шиной, каждая линия которой работает со скоростью 3,6 Гбит/с, память HBM2E обеспечивает пропускную способность 460 ГБ/с, превосходя память HBM2 по этому показателю на 50%.

В стеке HBM2E может быть до восьми кристаллов плотностью 16 Гбит, связанных с помощью технологии TSV (Through Silicon Via), так что максимальный объем памяти достигает 16 ГБ. Это вдвое больше, чем в случае памяти HBM2.

По словам SK Hynix, HBM2E — «оптимальное решение» для памяти систем ИИ следующего поколения, ускорителей глубокого обучения и суперкомпьютеров. Ожидается, что она найдет применение в суперкомпьютере экcафлопсного уровня, который сможет вывести фундаментальные и прикладные научные исследования на новый уровень.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 127
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru