Samsung будет использовать EUV в производстве датчиков изображения
В недавней презентации для инвесторов, подготовленной Samsung, источник обнаружил интересный фрагмент, касающийся фабрики S4. Следует уточнить, что эта фабрика используется для выпуска датчиков изображения типа CMOS.
Итак, в презентации сказано, что датчики на фабрике S4 изготавливаются с использованием норм »45 нм и менее», а в феврале началось строительство линии, где будет внедрена литография в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
Известно, что Samsung уже выпускает датчики изображения по нормам 28 нм. Вероятно под «менее 45 нм» составители презентации подразумевают именно 28-нанометровый техпроцесс.
В производстве логических микросхем и памяти уже освоены более тонкие нормы и переход к EUV ожидается на этапе 7 нм. Похоже, что в случае датчиков изображения он произойдет на этапе 22 нм. Дело в том, что на этапе 22 нм обычно начинают применять двойное шаблонирование, и выбор в пользу EUV позволит избежать ограничений этого подхода.
Комментировать
Итак, в презентации сказано, что датчики на фабрике S4 изготавливаются с использованием норм »45 нм и менее», а в феврале началось строительство линии, где будет внедрена литография в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
Известно, что Samsung уже выпускает датчики изображения по нормам 28 нм. Вероятно под «менее 45 нм» составители презентации подразумевают именно 28-нанометровый техпроцесс.
В производстве логических микросхем и памяти уже освоены более тонкие нормы и переход к EUV ожидается на этапе 7 нм. Похоже, что в случае датчиков изображения он произойдет на этапе 22 нм. Дело в том, что на этапе 22 нм обычно начинают применять двойное шаблонирование, и выбор в пользу EUV позволит избежать ограничений этого подхода.
Комментировать
Ещё новости по теме:
18:20