Globalfoundries параллельно осваивает нормы 7 и 22 нм
Контрактный производитель полупроводниковой продукции Globalfoundries рассказал о своей стратегии развития технологий. В компании разрабатывают два направления — FinFET и FDSOI.
По части FinFET на второе полугодие намечен выпуск первой продукции по нормам 7 нм. Массовое производство будет развернуто в будущем году. Технической директор Globalfoundries назвал в числе первых заказчиков 7-нанометровой продукции, изготавливаемой по технологии FinFET, компании AMD и IBM.
Интересно, что этап 7 нм предполагается сначала освоить в рамках иммерсионной литографии, а в 2019 году — с помощью литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Ожидается, что при переходе к EUV получится улучшить показатели производительности изготавливаемой продукции.
Шаг 10 нм в Globalfoundries сочли промежуточным и не стали включать свои планы. Промежуточным также назван шаг 5 нм, который, вероятно, станет последним для FinFET. Освоение норм 3 нм потребует значительных изменений структуры транзисторов. Переход к 3 нм произойдет не раньше, чем через три-четыре года после освоения норм 7 нм.
Что касается FDSOI, эта технология не только сохраняет актуальность на нынешнем этапе 22 нм, но и в перспективе, при переходе к нормам 12 нм. Партнеры Globalfoundries из числа заказчиков уже подготовили десятки проектов под техпроцесс 22FDX. Первые проекты под техпроцесс 12FDX будут подготовлены к передаче в производство в 2020 году. Технология FDSOI хороша для радиочастотных решений, включая микроволновые, что делает ее особенно подходящей, в частности, для изготовления компонентов автомобильных радаров. Неудивительно, что техпроцесс 22FDX Gloabalfoundries был недавно сертифицирован для производства продукции, соответствующей требованиям к автомобильной электронике AEC-Q100 Grade 2.
Комментировать
По части FinFET на второе полугодие намечен выпуск первой продукции по нормам 7 нм. Массовое производство будет развернуто в будущем году. Технической директор Globalfoundries назвал в числе первых заказчиков 7-нанометровой продукции, изготавливаемой по технологии FinFET, компании AMD и IBM.
Интересно, что этап 7 нм предполагается сначала освоить в рамках иммерсионной литографии, а в 2019 году — с помощью литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Ожидается, что при переходе к EUV получится улучшить показатели производительности изготавливаемой продукции.
Шаг 10 нм в Globalfoundries сочли промежуточным и не стали включать свои планы. Промежуточным также назван шаг 5 нм, который, вероятно, станет последним для FinFET. Освоение норм 3 нм потребует значительных изменений структуры транзисторов. Переход к 3 нм произойдет не раньше, чем через три-четыре года после освоения норм 7 нм.
Что касается FDSOI, эта технология не только сохраняет актуальность на нынешнем этапе 22 нм, но и в перспективе, при переходе к нормам 12 нм. Партнеры Globalfoundries из числа заказчиков уже подготовили десятки проектов под техпроцесс 22FDX. Первые проекты под техпроцесс 12FDX будут подготовлены к передаче в производство в 2020 году. Технология FDSOI хороша для радиочастотных решений, включая микроволновые, что делает ее особенно подходящей, в частности, для изготовления компонентов автомобильных радаров. Неудивительно, что техпроцесс 22FDX Gloabalfoundries был недавно сертифицирован для производства продукции, соответствующей требованиям к автомобильной электронике AEC-Q100 Grade 2.
Комментировать
Ещё новости по теме:
18:20