Американцы создали "теплый" полупроводниковый лазер

Исследователи из Иллинойского университета создали лазер на основе биполярного гетерогенного транзистора, который может работать при комнатной температуре. По мнению разработчиков, это ключевой момент в коммерческом применении данного типа лазеров.

"Исследования продолжаются, но уже сейчас наш лазер, способен работать при комнатной температуре с частотой 3 ГГц, и это далеко не предел", - сказал Ник Холоняк (Nick Holonyak), профессор физики и информатики, работающий над совершенствованием лазера. Коллега Холоняка, профессор Милтон Фенг (Milton Feng), создал самый быстрый в мире биполярный гетерогенный транзистор, который может работать с частотой более 600 ГГц. Этот транзистор стал базой для создания полупроводниковых лазеров. Первый образец лазера, созданный в 2004 году, нуждался в охлаждении до -73°С.

Полупроводниковые лазеры планируется применять в качестве элементов будущих электронно-оптических интегральных схем (ИС). Замена обычных проводников в ИС на оптические позволит сделать схемы компактнее, ускорить обработку сигналов и повысить производительность. К тому же оптические схемы меньше нагреваются, чем обычные.

Первый полупроводниковый лазер (как и первый светодиод) был изобретен еще 1962 году. Но потребовалось более 40 лет, чтобы создать его вариант, работающий при комнатной температуре. В этом плане успех исследователей из Иллинойса, всего за год прошедших путь от "холодного" к "теплому" лазеру, более чем значителен.