Второе поколение 10-нм техпроцесса Samsung FinFET готово к производству

Пятница, 21 апреля 2017 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

В октябре прошлого года компания Samsung Electronics начала массовое производство первых однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET, которые используются в Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835, лежащих в основе Galaxy S8. Теперь Samsung сообщила о следующем достижении — техпроцесс 10-нм FinFET второго поколения прошел необходимые сертификации и готов к производству.




Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).

Также Samsung обещает запустить новую линию по производству 10-нм процессоров нового поколения, запустив линии S3 завода в Корейском городе Хвасон (Hwaseong) в четвертом квартале года, Отметим, что по слухам ряд флагманов 2017 года был задержан именно из-за недостаточного объема производства Snapdragon 835, первые партии которого Samsung зарезервировала под свои нужды, проще говоря, обеспечила Galaxy S8 эксклюзив.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 395
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru