Ученые придумали, как сделать фазовую память на порядок быстрее

Понедельник, 25 июня 2012 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Память, в которой для представления информации используется изменение фазового состояния вещества, точнее говоря, переход между аморфной и кристаллической структурами, характеризующимися разным сопротивлением, является одним из кандидатов на замену флэш-памяти. В то же время, в самом принципе работы этой памяти кроется противоречие: легкий переход между состояниями позволяет повысить скорость записи, но отрицательно сказывается на надежности хранения.

Исследователями из Кембриджского университета удалось повысить скорость записи, не жертвуя надежностью. Идея заключается в том, чтобы «подготовить» вещество к кристаллизации, в результате чего она происходит быстрее. Подготовка заключается в создании слабого электрического поля. Ученые использовали компаунд из германия, сурьмы и теллура. Им удалось получить время кристаллизации 500 пикосекунд, что в десять раз превосходит прежний результат.

Хотя о практическом применении открытия пока говорить рано, по словам исследователей, оно может помочь в создании энергонезависимой памяти, работающей на частоте 1 ГГц и более.

Источник: Science #vk

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 152
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Сентябрь 2006: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
Rating@Mail.ru