Процессоры будущего: транзисторы 3D III-V позволят создать более лёгкие устройства
Прогресс ожидает нас, порой, в неожиданных областях. В то время как пользователи ожидают инновации в области создания микропроцессоров на базе кристаллов кремния, учёные разрабатывают совершенно новые решения, как, например, транзисторы, использующие нанотрубки из индий галлия арсенида (InGaAs).
Исследователи университетов Гарварда и Пердью утверждают, что новые транзисторы смогут когда-нибудь заменить кремний, благодаря своему высокому потоку электронов. Материалы такого типа, которые, в свою очередь, состоят из материалов III-V, то есть входящих в третью и пятую группу элементов периодической системы Менделеева, и обеспечивающих более эффективный поток электронов, в будущем позволят создавать более тонкие и лёгкие компьютерные устройства.
Профессор кафедры электронной и компьютерной инженерии в Пердью, г-н Пейде Йе (Peide Ye), отметил, что снижение размера затвора транзистора до 22 нанометров заставляет использовать более сложные структурные конфигурации при создании трёхмерных транзисторов, так как идеальный затвор похож на горлышко, причём такие затворы должны окружать транзистор со всех сторон. При работе с кремниевыми транзисторами использование такой структуры ещё возможно, но дальнейшее уменьшение, похоже, в конце концов, потребует переход к новым материалам. Нанотрубки, созданные из сплавов III-V позволят перейти к 10 нм техпроцессу.
Ранее, архитектура Sandy Bridge от Intel сильно впечатлила редакцию THG.ru почти год назад, но она была предназначена для массового рынка. Производителю понадобилось время, чтобы подготовить версию для энтузиастов под названием Sandy Bridge-E, но теперь платформа на основе LGA2011 и её центральный процессор готовы. После множества тестов и оценки перспективности новинки, мы сделали вывод, что если мы в ближайшие пару месяцев увидим устройства с поддержкой PCIe 3.0, Sandy Bridge-E получит ещё одну возможность отличиться, в дополнение ко множеству своих преимуществ. О каких преимуществах речь? Об этом можно узнать в статье «Intel Core i7-3960X: Sandy Bridge-E и X79».
Исследователи университетов Гарварда и Пердью утверждают, что новые транзисторы смогут когда-нибудь заменить кремний, благодаря своему высокому потоку электронов. Материалы такого типа, которые, в свою очередь, состоят из материалов III-V, то есть входящих в третью и пятую группу элементов периодической системы Менделеева, и обеспечивающих более эффективный поток электронов, в будущем позволят создавать более тонкие и лёгкие компьютерные устройства.
Профессор кафедры электронной и компьютерной инженерии в Пердью, г-н Пейде Йе (Peide Ye), отметил, что снижение размера затвора транзистора до 22 нанометров заставляет использовать более сложные структурные конфигурации при создании трёхмерных транзисторов, так как идеальный затвор похож на горлышко, причём такие затворы должны окружать транзистор со всех сторон. При работе с кремниевыми транзисторами использование такой структуры ещё возможно, но дальнейшее уменьшение, похоже, в конце концов, потребует переход к новым материалам. Нанотрубки, созданные из сплавов III-V позволят перейти к 10 нм техпроцессу.
Ранее, архитектура Sandy Bridge от Intel сильно впечатлила редакцию THG.ru почти год назад, но она была предназначена для массового рынка. Производителю понадобилось время, чтобы подготовить версию для энтузиастов под названием Sandy Bridge-E, но теперь платформа на основе LGA2011 и её центральный процессор готовы. После множества тестов и оценки перспективности новинки, мы сделали вывод, что если мы в ближайшие пару месяцев увидим устройства с поддержкой PCIe 3.0, Sandy Bridge-E получит ещё одну возможность отличиться, в дополнение ко множеству своих преимуществ. О каких преимуществах речь? Об этом можно узнать в статье «Intel Core i7-3960X: Sandy Bridge-E и X79».
Ещё новости по теме:
18:20