Улучшенная версия 7-нм техпроцесса TSMC поднимет быстродействие на 5%

Понедельник, 1 июля 2019 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

До сих пор публичного упоминания удостаивалась так называемая версия техпроцесса »7 нм+», которая подразумевает использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), но автор публикации на страницах WikiChip Fuse утверждает, что у TSMC заготовлена и промежуточная версия 7-нм техпроцесса (N7P), которая не использует EUV, но при этом способна демонстрировать прирост быстродействия транзисторов на 5% относительно технологии первого поколения. Источник изображения: WikiChip Fuse

Это означает, что в течение жизненного цикла тех же 7-нм продуктов AMD могут выйти новые ревизии, которые поднимут частотный потенциал или снизят энергопотребление. Разумеется, со временем продукция AMD будет переведена и на 7-нм технологию нового поколения с использованием EUV, но это дело более отдалённого будущего, которое потребует масштабной и дорогой смены производственного оборудования TSMC.

Попутно автор исходной публикации поясняет, что скорость снижения плотности дефектов при освоении 7-нм технологии первого поколения у TSMC была рекордно высокой. Для крупных кристаллов плотность дефектов сейчас приближается к показателям 16-нм техпроцесса, и она ниже, чем у 10-нм изделий TSMC.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 499
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003