Toshiba разрабатывает модуль флэш-памяти NAND со стеком из 16 кристаллов по технологии TSV
Компания Toshiba объявила о разработке модуля флэш-памяти NAND со стеком из 16 кристаллов на базе технологии «сквозных кремниевых межсоединений» Through Silicon Via (TSV). Как сообщили CNews в Toshiba, прототип будет впервые продемонстрирован на Саммите по технологиям флэш-памяти в Санта-Клара, США.
В предшествующих решениях стеки флэш-памяти NAND объединялись в корпусе микросхемы по принципу проволочного монтажа. Вместо этого технология TSV использует вертикальные электроды и межсоединения, проходящие сквозь кремниевые кристаллы. Как пояснили в Toshiba, такое решение обеспечивает высокую скорость ввода и вывода данных и сокращает потребление электроэнергии.
Предложенное компанией решение TSV позволяет добиться пропускной способности ввода-вывода данных более 1 Гбит/с, что превышает характеристики любой другой флэш-памяти NAND, при низком уровне напряжения (1,8 В для ядер памяти и 1,2 В для схем ввода/вывода) и приблизительно 50% снижении энергопотребления при операциях записи, чтения и передачи данных ввода/вывода, утверждают в Toshiba.
Спецификации прототипа: тип корпуса — NAND Dual x8 BGA-152, емкость — 128/256ГБ, число стеков — 8/16, интерфейс — Toggle DDR
В целом, по словам представителей компании, новая флэш-память NAND представляет собой оптимальное сочетание малого времени задержки, большой пропускной способности и высокого коэффициента IOPS на ватт мощности для различных сфер применения флэш-накопителей, включая высокопроизводительные SSD-диски корпоративного класса.
Некоторые элементы этой прикладной технологии были разработаны Организацией по разработке новых энергетических и промышленных технологий (NEDO).
В предшествующих решениях стеки флэш-памяти NAND объединялись в корпусе микросхемы по принципу проволочного монтажа. Вместо этого технология TSV использует вертикальные электроды и межсоединения, проходящие сквозь кремниевые кристаллы. Как пояснили в Toshiba, такое решение обеспечивает высокую скорость ввода и вывода данных и сокращает потребление электроэнергии.
Предложенное компанией решение TSV позволяет добиться пропускной способности ввода-вывода данных более 1 Гбит/с, что превышает характеристики любой другой флэш-памяти NAND, при низком уровне напряжения (1,8 В для ядер памяти и 1,2 В для схем ввода/вывода) и приблизительно 50% снижении энергопотребления при операциях записи, чтения и передачи данных ввода/вывода, утверждают в Toshiba.
Спецификации прототипа: тип корпуса — NAND Dual x8 BGA-152, емкость — 128/256ГБ, число стеков — 8/16, интерфейс — Toggle DDR
В целом, по словам представителей компании, новая флэш-память NAND представляет собой оптимальное сочетание малого времени задержки, большой пропускной способности и высокого коэффициента IOPS на ватт мощности для различных сфер применения флэш-накопителей, включая высокопроизводительные SSD-диски корпоративного класса.
Некоторые элементы этой прикладной технологии были разработаны Организацией по разработке новых энергетических и промышленных технологий (NEDO).
Ещё новости по теме:
18:20