Цифра дня: Во сколько раз быстрее память 3D XPoint по сравнению с NAND?
Цифра дня:
1 000
Во столько раз быстрее память 3D XPoint по сравнению с NAND.
Корпорация Intel и Micron Technology представили технологию 3D XPoint. Как отмечают разработчики, энергонезависимая память 3D XPoint позволяет создать новую категорию устройств хранения данных впервые со времен выхода на рынок флеш-памяти NAND в 1989 году. По словам Intel, основанная на 10 лет исследований и разработок, технология 3D XPoint была создана с нуля для того, чтобы удовлетворить спрос в энергонезависимых, высокоскоростных, долговечных и высокоемких решениях для хранения данных по доступной цене.
Технология 3D XPoint отличается высокой производительностью и плотностью размещения компонентов, низким энергопотреблением и доступной ценой. Эта технология до тысячи раз быстрее и имеет до тысячи раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND. Кроме того, она имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с обычной памятью.
Перекрестная архитектура создает трехмерную «шахматную доску», на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет в независимом порядке выполнять адресацию. В результате, данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.
Характеристики технологии 3D XPoint:
Крестообразная структура — перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. Многослойность — помимо расположения в крестообразной структуре, ячейки памяти размещаются в несколько слоев. Изначальная технология позволяет хранить 128 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти. Будущие поколения технологии позволят увеличить количество слоев для масштабирования емкости.
Использование селектора — доступ и чтение или запись в ячейках памяти осуществляются путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволяет отказаться от необходимости использования транзисторов, что увеличивает емкость и снижает стоимость.
Быстродействующие ячейки — благодаря небольшому размеру ячеек, быстродействующим селекторам, низкой задержке и быстрой записи, ячейки могут переключать состояния быстрее, чем любая технология энергонезависимой памяти.
Пробные поставки продукции на базе технологии 3D XPoint для отдельных заказчиков начнутся в этом году. Кроме того, Intel и Micron разрабатывают собственную продукцию на базе этой технологии.
1 000
Во столько раз быстрее память 3D XPoint по сравнению с NAND.
Корпорация Intel и Micron Technology представили технологию 3D XPoint. Как отмечают разработчики, энергонезависимая память 3D XPoint позволяет создать новую категорию устройств хранения данных впервые со времен выхода на рынок флеш-памяти NAND в 1989 году. По словам Intel, основанная на 10 лет исследований и разработок, технология 3D XPoint была создана с нуля для того, чтобы удовлетворить спрос в энергонезависимых, высокоскоростных, долговечных и высокоемких решениях для хранения данных по доступной цене.
Технология 3D XPoint отличается высокой производительностью и плотностью размещения компонентов, низким энергопотреблением и доступной ценой. Эта технология до тысячи раз быстрее и имеет до тысячи раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND. Кроме того, она имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с обычной памятью.
Перекрестная архитектура создает трехмерную «шахматную доску», на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет в независимом порядке выполнять адресацию. В результате, данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.
Характеристики технологии 3D XPoint:
Крестообразная структура — перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. Многослойность — помимо расположения в крестообразной структуре, ячейки памяти размещаются в несколько слоев. Изначальная технология позволяет хранить 128 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти. Будущие поколения технологии позволят увеличить количество слоев для масштабирования емкости.
Использование селектора — доступ и чтение или запись в ячейках памяти осуществляются путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволяет отказаться от необходимости использования транзисторов, что увеличивает емкость и снижает стоимость.
Быстродействующие ячейки — благодаря небольшому размеру ячеек, быстродействующим селекторам, низкой задержке и быстрой записи, ячейки могут переключать состояния быстрее, чем любая технология энергонезависимой памяти.
Пробные поставки продукции на базе технологии 3D XPoint для отдельных заказчиков начнутся в этом году. Кроме того, Intel и Micron разрабатывают собственную продукцию на базе этой технологии.
Ещё новости по теме:
18:20