Samsung представляет 70-нм NAND флэш-память емкостью 4 Гбайт
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства модулей высокоплотной флэш-памяти Samsung 70nm 4Gb NAND.
При их создании была использована революционная технология 70-нанометрового процесса с применением передовой фторид-аргоновой фотолитографии для травления мельчайших схем на 300-миллиметровых подложках.
Новинки способны сохранять данные со скоростью 16 Мбайт/сек, что на 50% лучше показателей модулей (90nm 2Gb NAND). Это позволяет эффективно использовать новые устройства для высококачественной записи видеоизображений с высоким разрешением (HD) в режиме реального времени.
При их создании была использована революционная технология 70-нанометрового процесса с применением передовой фторид-аргоновой фотолитографии для травления мельчайших схем на 300-миллиметровых подложках.
Новинки способны сохранять данные со скоростью 16 Мбайт/сек, что на 50% лучше показателей модулей (90nm 2Gb NAND). Это позволяет эффективно использовать новые устройства для высококачественной записи видеоизображений с высоким разрешением (HD) в режиме реального времени.
Ещё новости по теме:
18:20