Intel и Micron приступили к производству первой в мире 25-нм NAND-памяти
Корпорация Intel и компания Micron Technology объявили о запуске первой в мире 25-нм технологии производства NAND-памяти. На базе новой технологии были созданы микросхемы памяти емкостью 8 ГБ. Площадь одной такой микросхемы составляет 167 кв. мм, достаточно мало для того, чтобы поместиться в отверстие компакт-диска.
Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в одной ячейке двух битов данных. В новом 25-нм 8-ГБ модуле число чипов по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более емкие решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости, производитель может использовать несколько 8-ГБ микросхем, объединенных друг с другом. Например, один SSD емкостью 256 ГБ можно получить путем объединения 32 новых чипов вместо 64 ранее; для получения 32 ГБ встроенной памяти в смартфоне, нужно 4 чипа, а для 16-ГБ карты памяти – всего два.
Модули производятся на IM Flash Technologies (IMFT), совместном предприятии между Intel и Micron по выпуску флэш-памяти. В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 25-нм 8-ГБ модулей NAND-памяти. Серийное производство планируется начать во 2-м квартале 2010 г.
Флэш-память NAND используется для хранения пользовательских файлов и других данных в потребительской электронике, сохраняя эти данные при выключенном электропитании. Представленный 25-нм технологический процесс является не только наименьшим в производстве NAND-чипов, но и наименьшим в полупроводниковой индустрии в целом. Это достижение позволяет в очередной раз увеличить количество музыкальных, видеофайлов и других данных, хранящихся на современных карманных потребительских устройствах и персональных компьютерах.
Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в одной ячейке двух битов данных. В новом 25-нм 8-ГБ модуле число чипов по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более емкие решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости, производитель может использовать несколько 8-ГБ микросхем, объединенных друг с другом. Например, один SSD емкостью 256 ГБ можно получить путем объединения 32 новых чипов вместо 64 ранее; для получения 32 ГБ встроенной памяти в смартфоне, нужно 4 чипа, а для 16-ГБ карты памяти – всего два.
Модули производятся на IM Flash Technologies (IMFT), совместном предприятии между Intel и Micron по выпуску флэш-памяти. В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 25-нм 8-ГБ модулей NAND-памяти. Серийное производство планируется начать во 2-м квартале 2010 г.
Флэш-память NAND используется для хранения пользовательских файлов и других данных в потребительской электронике, сохраняя эти данные при выключенном электропитании. Представленный 25-нм технологический процесс является не только наименьшим в производстве NAND-чипов, но и наименьшим в полупроводниковой индустрии в целом. Это достижение позволяет в очередной раз увеличить количество музыкальных, видеофайлов и других данных, хранящихся на современных карманных потребительских устройствах и персональных компьютерах.
Ещё новости по теме:
18:20