В теории шума выявлен фундаментальный изъян
Теория электронного шума, к великому огорчению экспертов портале Исследования и разработки – R&D.CNews, не прошла проверку практикой.
Сотрудники Нью-Йоркского института стандартов и технологий (NIST) выявили несоответствие теории электронного шума реальным эмпирическим данным. Показано, что причина фиаско существующей теории носит фундаментальный характер и обусловлена неадекватным представлением о факторах, этот шум обуславливающих.
В рамках "классической" модели, предполагавшей определяющее влияние флуктуаций свойств материалов полупроводников на шум транзистора, предполагала, что частотный спектр шума будет изменяться по мере изменения размеров перехода.
Увы. Исследование характера и динамики шума (так называемого случайного телеграфного шума, Random Telegraph Noise) в транзисторах различного размера, проведенное сотрудником NIST Джейсоном Кэмпбеллом (Jason Campbell), показало, что спектр остается тем же самым даже в транзисторах нанометровых размеров, а уровень шумов в них аномально высок.
Модель транзисторного шума, неплохо описывающая его в относительно больших полупроводниковых переходах, оказалась неспособной адекватно описать шумы в полупроводниковых наноструктурах.
Каковы причины несоответствия теории и практики,пока неясно. Возможно, они являются проявлением фундаментальной неадекватности наших текущих представлений о природе микромира.
Тем не менее, выявленная аномалия уже сейчас грозит серьезными и неприятными проблемами разработчикам микроэлектронных устройств, особенно устройств с низким энергопотреблением.
Более подробная информация о новом открытии будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.
Сотрудники Нью-Йоркского института стандартов и технологий (NIST) выявили несоответствие теории электронного шума реальным эмпирическим данным. Показано, что причина фиаско существующей теории носит фундаментальный характер и обусловлена неадекватным представлением о факторах, этот шум обуславливающих.
В рамках "классической" модели, предполагавшей определяющее влияние флуктуаций свойств материалов полупроводников на шум транзистора, предполагала, что частотный спектр шума будет изменяться по мере изменения размеров перехода.
Увы. Исследование характера и динамики шума (так называемого случайного телеграфного шума, Random Telegraph Noise) в транзисторах различного размера, проведенное сотрудником NIST Джейсоном Кэмпбеллом (Jason Campbell), показало, что спектр остается тем же самым даже в транзисторах нанометровых размеров, а уровень шумов в них аномально высок.
Модель транзисторного шума, неплохо описывающая его в относительно больших полупроводниковых переходах, оказалась неспособной адекватно описать шумы в полупроводниковых наноструктурах.
Каковы причины несоответствия теории и практики,пока неясно. Возможно, они являются проявлением фундаментальной неадекватности наших текущих представлений о природе микромира.
Тем не менее, выявленная аномалия уже сейчас грозит серьезными и неприятными проблемами разработчикам микроэлектронных устройств, особенно устройств с низким энергопотреблением.
Более подробная информация о новом открытии будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.
Ещё новости по теме:
18:20