Почти 1 ТБ/с. Hynix представила память HBM3 — самую быструю память DRAM в мире

Среда, 20 октября 2021 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания SK Hynix заявила, что стала первой в отрасли, кто успешно разработал память HBM3. Напомним, массовое производство HBM2E стартовало лишь в июле прошлого года, и на данный момент на рынке практически нет продуктов с использованием такой памяти. 

Возвращаясь к HBM3, пропускная способность на стек тут достигает 819 ГБ/с, что на 78% больше, чем у HBM2E. Для примера, если CPU будет связан с четырьмя такими стеками 4096-разрядной шиной, то суммарная пропускная способность составит сумасшедшие 3,276 ТБ/с.  

Hynix уже говорит, что стеки HBM3 будут поставляться в двух модификациях объёмом 16 либо 24 ГБ. Во втором случае это будет максимум для отрасли. Для стека емкостью 24 ГБ инженеры SK Hynix ограничили высоту микросхемы DRAM примерно до 30 микрометров, что эквивалентно трети толщины бумаги A4, прежде чем вертикально сложить 12 микросхем с использованием технологии сквозных кремниевых переходов. 

Когда память HBM3 появится в серийных продуктах, производитель не сообщает, но в этом году её ждать не стоит.  

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 186
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Январь 2020: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31