Samsung Electronics выпускает первый твердотельный накопитель, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска твердотельного накопителя объемом 250 ГБ, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями (производитель использует обозначение 1xx). В накопителе с интерфейсом SATA используются микросхемы плотностью 256 Гбит, способные хранить три бита в каждой ячейке.
При изготовлении микросхем применяется уникальная технология Samsung «травление отверстия канала» (channel hole etching), которая позволила увеличить количество ячеек на 40% по сравнению с микросхемами с числом слоев 9x. Суть технологии заключается в формировании электропроводящего «стека» из 136 слоев, который сверху донизу пронизывают вертикальные цилиндрические отверстия, создавая однородные трехмерные ячейки с зарядовой ловушкой (CTF). По мере увеличения высоты структуры микросхема NAND становится более уязвимой к ошибкам и задержкам чтения. Чтобы преодолеть это ограничение, специалисты Samsung оптимизировали управляющую схему по скорости передачи данных: в результате операция записи занимает менее 450 мкс, чтения — менее 45 мкс. По сравнению с предыдущим поколением достигнуто повышение производительности более чем на 10% при одновременном снижении энергопотребления более чем на 15%.
В Samsung уверены, что оптимизированная по скорости схема позволит выпускать решения V-NAND следующего поколения, в которых будет более 300 слоев, просто объединив три описанных «стека».
Кроме того, количество канальных отверстий, необходимых для кристалла плотностью 256 Гбит, уменьшено по сравнению с предыдущим поколением с 930 млн до 670 млн штук. Это позволило уменьшить размеры микросхемы и число этапов техпроцесса, что привело к повышению производительности труда более чем на 20%.
Во второй половине этого года компания рассчитывает выпустить SSD объемом 512 ГБ и модули eUFS, в которых будет использоваться такая же память V-NAND шестого поколения. На будущий год планируется расширение производства этой памяти на южнокорейском предприятии Samsung.
При изготовлении микросхем применяется уникальная технология Samsung «травление отверстия канала» (channel hole etching), которая позволила увеличить количество ячеек на 40% по сравнению с микросхемами с числом слоев 9x. Суть технологии заключается в формировании электропроводящего «стека» из 136 слоев, который сверху донизу пронизывают вертикальные цилиндрические отверстия, создавая однородные трехмерные ячейки с зарядовой ловушкой (CTF). По мере увеличения высоты структуры микросхема NAND становится более уязвимой к ошибкам и задержкам чтения. Чтобы преодолеть это ограничение, специалисты Samsung оптимизировали управляющую схему по скорости передачи данных: в результате операция записи занимает менее 450 мкс, чтения — менее 45 мкс. По сравнению с предыдущим поколением достигнуто повышение производительности более чем на 10% при одновременном снижении энергопотребления более чем на 15%.
В Samsung уверены, что оптимизированная по скорости схема позволит выпускать решения V-NAND следующего поколения, в которых будет более 300 слоев, просто объединив три описанных «стека».
Кроме того, количество канальных отверстий, необходимых для кристалла плотностью 256 Гбит, уменьшено по сравнению с предыдущим поколением с 930 млн до 670 млн штук. Это позволило уменьшить размеры микросхемы и число этапов техпроцесса, что привело к повышению производительности труда более чем на 20%.
Во второй половине этого года компания рассчитывает выпустить SSD объемом 512 ГБ и модули eUFS, в которых будет использоваться такая же память V-NAND шестого поколения. На будущий год планируется расширение производства этой памяти на южнокорейском предприятии Samsung.
Ещё новости по теме:
18:20