Toshiba SP12T - микросхема антенного коммутатора для смартфонов с поддержкой LTE-Advanced

Пятница, 12 сентября 2014 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e

Потребители редко задумывается над тем, сколько передовых разработок сосредоточено в устройствах, которыми они пользуются. Между тем, даже в недорогом смартфоне полным-полно компонентов, являющихся предметом законной гордости разработчиков, поскольку всего несколько лет назад сама возможность их изготовления могла бы вызвать сомнения. Между тем, процесс создания шедевров микроминиатюризации, работающих на частотах, немыслимых ранее для потребительских средств связи, потребляя микроскопические количества энергии, продолжается.

Компания Toshiba объявила о разработке микросхемы SP12T, выполняющей функцию антенного коммутатора и предназначенной для смартфонов с поддержкой LTE-Advanced. Миниатюрное изделие характеризуется минимальными в своем классе вносимыми потерями и радиочастотными искажениями.

Популярность мобильной связи влечет за собой увеличение используемых частотных диапазонов и скоростей передачи данных. В этих условиях требования к антенным коммутаторам растут, в первую очередь, за счет необходимости поддерживать конфигурации с несколькими портами и обеспечивать минимальное затухание и искажения.

Специально для решения этой задачи специалисты Toshiba разработали техпроцесс TaRF6 — новое поколение техпроцесса TarfSOI (Toshiba advanced RF SOI), построенного на использовании кремния на изоляторе и оптимизированного для радиочастотных цепей. Используя TarfSOI, можно объединять на одной подложке аналоговые, цифровые и радиочастотные цепи. В сравнении с другими широко используемыми в этой области технологиями, например, GaAs, технология TarfSOI выигрывает по стоимости, сложности реализуемых схем коммутации и радиочастотным характеристикам.

В случае SP12T использование техпроцесса TaRF6 позволило получить вносимые потери 0,42 дБ (на частоте 2,7 ГГц) и уровень второй гармоники -90 дБмВт. Для сравнения: коммутатор, изготовленный по техпроцессу TaRF5 проигрывает 0,26 дБ по потерям и 18 дБмВт по искажениям. Уменьшение потерь приводит к снижению энергопотребления, что немаловажно для устройства с батарейным питанием, а уменьшение искажений позволяет использовать агрегацию несущих, чувствительную к их уровню.

Поставки ознакомительных образцов SP12T уже начались. Toshiba планирует расширять ассортимент продукции, выпускаемой с использованием техпроцесса TaRF6. Кроме того, рассматривается возможность контрактного производства продукции по технологии TarfSOI.

Источник: Toshiba

Теги: ToshibaКомментировать

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e


Просмотров: 481
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Март 2019: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31