Infineon проработал по-стахановски

Германский производитель чипов Infineon перевыполнил свой план по срокам внедрения новых технологий на своих заводах, что позволит сократить отставание от Samsung.

Infineon начал выпуск модулей памяти DRAM по 90-нанометровой технологии на 300-мм подложках на головном предприятии в Дрездене. По заявленным ранее планам, значительное увеличение производственных мощностей ожидается во второй половине этого года.

К концу мая около 5% выпускаемых DRAM компанией Infineon проводилось по 90-нанометровой технологии.

Каждое новое поколение технологии производства чипов увеличивает их количество на одной подложке.

Компания Inotera Memories вместе с тайваньским производителем Nanya Tech также начинают переход на 90-нанометровую технологию.

Infineon и Nanya уже получили заказы на чипы, производимые по совместно разработанной 90-нанометровой технологии, от основных своих заказчиков, включая крупнейшего производителя процессоров Intel.

Новая технология производства модулей памяти более дешевая по себестоимости, что является критически важной характеристикой для производителей DRAM.

Германская компания спешит догнать основного своего конкурента – компанию Samsung, и по словам представителя компании, им это пока удается.