IBM, Infineon и Macronix будут разрабатывать новый тип памяти
Из ряда источников стало известно о том, что компании IBM, Infineon и Macronix намереваются совместными усилиями разрабатывать новый тип памяти под названием PCM (phase-change memory, память на основе фазового перехода).
Принцип работы такой памяти основывается на изменении агрегатного состояния вещества. Обратимое изменение вещества с кристаллического на аморфное позволит принять одно состояние за нуль, а другое - за один. В таком случае, меняя агрегатное состояние нескольких молекул, можно создать массив памяти, который вполне можно использовать на практике. Полезными свойствами является энергонезависимость, высокая надежность и скорость работы. Позиционируется PCM как замена флэш-памяти.
Однако, независимые эксперты считают, что до появления работающих образцов такой памяти должно пройти еще пару десятилетий. Хотя сотрудники трех вышеупомянутых компаний называют совсем другие сроки - 3-5 лет.
Исследования будут проводиться в двух лабораториях IBM в США. Работать над разработкой данной технологии будет около 20-25 специалистов.
Принцип работы такой памяти основывается на изменении агрегатного состояния вещества. Обратимое изменение вещества с кристаллического на аморфное позволит принять одно состояние за нуль, а другое - за один. В таком случае, меняя агрегатное состояние нескольких молекул, можно создать массив памяти, который вполне можно использовать на практике. Полезными свойствами является энергонезависимость, высокая надежность и скорость работы. Позиционируется PCM как замена флэш-памяти.
Однако, независимые эксперты считают, что до появления работающих образцов такой памяти должно пройти еще пару десятилетий. Хотя сотрудники трех вышеупомянутых компаний называют совсем другие сроки - 3-5 лет.
Исследования будут проводиться в двух лабораториях IBM в США. Работать над разработкой данной технологии будет около 20-25 специалистов.
Ещё новости по теме:
18:20