Micron создает свой первый модуль DRAM стандарта DDR4
Хотя стандарт оперативной памяти DDR4 пока не получил официальной спецификации, это не мешает различным фирмам вести работы в данной области. Вслед за Hynix своими успехами на этом направлении похвасталась и компания Micron Technology, официально объявившая о создании своего первого полнофункционального модуля DRAM стандарта DDR4. Производитель уже начал выпуск опытных образцов и даже получил отзывы от ведущих партнеров, что должно помочь быстрому внедрению данной памяти в 2013 году.
Micron
Ожидается, что на первых порах DDR4 найдет применение в корпоративных серверных системах и микросерверах, где ее преимущества в плане производительности и энергоэффективности окажутся весьма кстати. Кроме того, эта память должна реализовать заложенный в ней потенциал на быстрорастущем рынке ультратонких клиентских систем и планшетных компьютеров. Отметим, что память DDR4 от Micron представлена пока х8-компонентами с емкостью 4 Гбит, созданными совместно с Nanya по 30-нм технологии.
Данное решение будет представлено в самом полном наборе модулей различных форматов, в том числе RDIMM, LRDIMM, 3DS, SODIMM и UDIMM (стандартный и ECC). Кроме того, намечен выпуск компонентов х8, x16 и x32 для размещения на печатной плате, а быстродействие памяти Micron будет варьироваться от первоначальных 2400 МТ/с до максимальных 3200 МТ/с.Как только JEDEC завершит разработку спецификации DDR4, компания обещает максимально быстро обеспечить полную совместимость с ней своей 30-нм памяти с емкостью 4 Гбит и планирует начать ее массовое производство в четвертом квартале текущего года.
Micron
Ожидается, что на первых порах DDR4 найдет применение в корпоративных серверных системах и микросерверах, где ее преимущества в плане производительности и энергоэффективности окажутся весьма кстати. Кроме того, эта память должна реализовать заложенный в ней потенциал на быстрорастущем рынке ультратонких клиентских систем и планшетных компьютеров. Отметим, что память DDR4 от Micron представлена пока х8-компонентами с емкостью 4 Гбит, созданными совместно с Nanya по 30-нм технологии.
Данное решение будет представлено в самом полном наборе модулей различных форматов, в том числе RDIMM, LRDIMM, 3DS, SODIMM и UDIMM (стандартный и ECC). Кроме того, намечен выпуск компонентов х8, x16 и x32 для размещения на печатной плате, а быстродействие памяти Micron будет варьироваться от первоначальных 2400 МТ/с до максимальных 3200 МТ/с.Как только JEDEC завершит разработку спецификации DDR4, компания обещает максимально быстро обеспечить полную совместимость с ней своей 30-нм памяти с емкостью 4 Гбит и планирует начать ее массовое производство в четвертом квартале текущего года.
Ещё новости по теме:
18:20