Intel ищет новый диэлектрик
Intel планирует использовать материалы с высокой диэлектрической проницаемостью для создания транзисторных затворов при 45-нм технологическом процессе. Представители компании заявляют, что ведется работа для нахождения более качественного изолятора, обладающего, в частности, более высокой диэлектрической проницаемостью.
В данный момент все основные производители микропроцессоров ведут активные поиски материала для замены, единственно использовавшегося до сегодняшнего момента, диэлектрика диоксида кремния (SiO2), применение которого физически невозможно при 45-нм техпроцессе.
Именно Intel еще в 2003 году сообщила, что поиски увенчались успехом, и что необходимый материал найден, а его применение планируется в 2007 году, но, естественно, официальные представители не раскрыли карты, какой именно диэлектрик будет использоваться, сообщив, что это является корпоративной тайной.
Согласно заявлениям Пауло Гарджини (Paolo Gargini), директора по разработке стратегических технологий, новое решение позволяет Intel заменить 1.2-нм слой диоксида кремния, используемый при производстве 90-нм и 65-нм процессоров, более "продвинутым" 3.0-нм слоем нового диэлектрика. При этом более чем в сто раз уменьшается ток утечки через затвор транзистора, что приведет к снижению тепловыделения и увеличению производительности процессора. К тому же, нововведение позволит значительно упростить само производство чипов, а часть сэкономленных средств пойдет на увеличение оплаты инженеров компании, создав, таким образом, материальную заинтересованность сотрудников.
На данный момент компания имеет в своем распоряжении материал, диэлектрическая проницаемость которого в три раза выше, чем у диоксида кремния, и ведутся работы над созданием изолятора, соответствующие параметры которого в пять раз выше, чем у нынешнего диэлектрика. Компания действительно имеет неплохие шансы представить 45-нм процессоры в 2007 году, как и планируется сегодня. Руководство же AMD пока не делает никаких заявлений, которые бы пролили свет на достижения компании в этой области. Так что об их готовности к переходу на новые стандарты можно только догадываться. Тем не менее компания просто обязана вести исследования, и не исключено, что какие-то "подвижки" имеются и у AMD.
В данный момент все основные производители микропроцессоров ведут активные поиски материала для замены, единственно использовавшегося до сегодняшнего момента, диэлектрика диоксида кремния (SiO2), применение которого физически невозможно при 45-нм техпроцессе.
Именно Intel еще в 2003 году сообщила, что поиски увенчались успехом, и что необходимый материал найден, а его применение планируется в 2007 году, но, естественно, официальные представители не раскрыли карты, какой именно диэлектрик будет использоваться, сообщив, что это является корпоративной тайной.
Согласно заявлениям Пауло Гарджини (Paolo Gargini), директора по разработке стратегических технологий, новое решение позволяет Intel заменить 1.2-нм слой диоксида кремния, используемый при производстве 90-нм и 65-нм процессоров, более "продвинутым" 3.0-нм слоем нового диэлектрика. При этом более чем в сто раз уменьшается ток утечки через затвор транзистора, что приведет к снижению тепловыделения и увеличению производительности процессора. К тому же, нововведение позволит значительно упростить само производство чипов, а часть сэкономленных средств пойдет на увеличение оплаты инженеров компании, создав, таким образом, материальную заинтересованность сотрудников.
На данный момент компания имеет в своем распоряжении материал, диэлектрическая проницаемость которого в три раза выше, чем у диоксида кремния, и ведутся работы над созданием изолятора, соответствующие параметры которого в пять раз выше, чем у нынешнего диэлектрика. Компания действительно имеет неплохие шансы представить 45-нм процессоры в 2007 году, как и планируется сегодня. Руководство же AMD пока не делает никаких заявлений, которые бы пролили свет на достижения компании в этой области. Так что об их готовности к переходу на новые стандарты можно только догадываться. Тем не менее компания просто обязана вести исследования, и не исключено, что какие-то "подвижки" имеются и у AMD.
Ещё новости по теме:
18:20