GDDR3 память Infineon для hi-end решений
Infineon расширила линейку графической памяти 512Мбит GDDR3 микросхемами работающих на частоте 800МГц при напряжении 1,9В, обеспечивая пропускную способность в 51,2Гбит/сек. С новыми GDDR3 16Мбит x 32 компонентами, компания планирует "штурмовать" hi-end графические системы предназначенные для настольных и портативных ПК.
Используя 512Мбит компоненты Infineon, объем памяти видеоадаптеров может достигать 512Мб и 1Гб. Микросхемы прошли сертификацию объединенного инженерного совета по электронным устройствам JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) и выпускаются в 136-контактном корпусе FBGA (ширина 11 мм x длина 14 мм x толщина 1,2 мм). Первые образцы были отгружены еще в феврале, серийное производство же намечено на вторую половину 2005.
В отличии от Infineon, южнокорейская компания Samsung Electronics не медлит и еще в декабре прошлого года продемонстрировала, а в начале текущего года начала серийное производство микросхем GDDR3 плотность 512Мбит, благодаря чему сейчас и контролирует большую часть рынка графической памяти.
Используя 512Мбит компоненты Infineon, объем памяти видеоадаптеров может достигать 512Мб и 1Гб. Микросхемы прошли сертификацию объединенного инженерного совета по электронным устройствам JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) и выпускаются в 136-контактном корпусе FBGA (ширина 11 мм x длина 14 мм x толщина 1,2 мм). Первые образцы были отгружены еще в феврале, серийное производство же намечено на вторую половину 2005.
В отличии от Infineon, южнокорейская компания Samsung Electronics не медлит и еще в декабре прошлого года продемонстрировала, а в начале текущего года начала серийное производство микросхем GDDR3 плотность 512Мбит, благодаря чему сейчас и контролирует большую часть рынка графической памяти.
Ещё новости по теме:
18:20