Intel представила новые модули флэш-памяти
Intel в очередной раз напомнила, что сфера ее деятельности гораздо шире, чем только производство процессоров, представив на IDF в Токио модули флэш-памяти StrataFlash, сочетающие невысокую стоимость, высокую производительность, разнообразие предлагаемых емкостей и вариантов исполнения корпусов. Разработка четвертого поколения, NOR флэш-память с многоуровневыми ячейками позволяет хранить два бита на ячейку, что позволяет обеспечить невысокую стоимость модулей. Низкое рабочее напряжение и небольшая потребляемая мощность делают StrataFlash хорошим кандидатом на применение в разнообразных мобильных устройствах с питанием от батареи.
Новые модули будут предлагаться в корпусах трех форм-факторов, каждый из которых, кроме того, будет доступен в стандартном, или свободном от свинца исполнении. Емкость – от 64 Мбит до 1 Гбит, напряжение питания – 1,8 В, первоначальное время доступа – 85 нс, время передачи по шине – 20 нс, специальные регистры памяти могут применяться OEM-производителями для реализации функций защиты авторских прав, аутентификации и т.д.
Выпуск модулей Intel StrataFlash емкостью 64-512 Мбит начнется во втором квартале 2005 г., а массовое производство 1 Гбит модулей намечено на вторую половину текущего года.
Новые модули будут предлагаться в корпусах трех форм-факторов, каждый из которых, кроме того, будет доступен в стандартном, или свободном от свинца исполнении. Емкость – от 64 Мбит до 1 Гбит, напряжение питания – 1,8 В, первоначальное время доступа – 85 нс, время передачи по шине – 20 нс, специальные регистры памяти могут применяться OEM-производителями для реализации функций защиты авторских прав, аутентификации и т.д.
Выпуск модулей Intel StrataFlash емкостью 64-512 Мбит начнется во втором квартале 2005 г., а массовое производство 1 Гбит модулей намечено на вторую половину текущего года.
Ещё новости по теме:
18:20