IBM и Intel инвестируют 4,4 млрд $ в научно-исследовательский центр в Олбани

IBM и Intel достигли соглашения об инвестировании 4,4 млрд долл. в создание центра исследования и развития нанотехнологий в г. Олбани, штат Нью-Йорк, сообщает Electronista.

Компании, в сотрудничестве с Samsung, Global Foundries и TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation), будут инвестировать в создание центра в течение 5-летнего периода. В качестве поддержки администрация штата Нью-Йорк инвестирует 400 млн долл. в Колледж наноразмерной науки и инжиниринга (College of Nanoscale Science and Engineering), располагающийся в Олбани.

Инвестирование будет проходить в два этапа. Первый, возглавляемый IBM и её партнёрами, будет сосредоточен на производстве компьютерных чипов следующих двух поколений. В ходе второго этапа, осуществляемого совместными усилиями Intel, IBM, TSMC, Global Foundries и Samsung, основное внимание будет уделяться вопросам преобразования существующей 300-мм технологии изготовления полупроводниковых пластин чипов в новую технологию с 450-мм процессом. В рамках данной новой технологии возможно производство чипов, более чем вдвое превышающее число чипов, обрабатываемых на сегодняшних 300-мм пластинах.

Ожидается создание 1900 рабочих мест в строительной области, 2500 производственно-технологических должностей и поддержка 2500 существующих.

В рамках отдельного соглашения Intel одобрила создание штаб-квартиры в юго-восточной части Олбани, которая будет заниматься вопросами 450-мм технологии и осуществлять общее управление проектами.