Elpida объявила о разработке самого миниатюрного модуля памяти 25-нм DDR3 DRAM 4-Гбит

Японский разработчик модулей памяти DRAM компания Elpida Memory объявила о завершении разработки 4-Гбит микросхемы памяти DDR3, изготовленной в соответствии с нормативами 25-нм техпроцесса. Созданный чип памяти позиционируется как самый миниатюрный в данной категории.  Новая модель отличается от предыдущей версии, изготовленной по нормам 30-нм техпроцесса, более низким энергопотреблением. По сравнению с модулями предыдущего поколения новый чип требует на 25-30% меньше энергии в рабочем режиме и экономнее предшественников на 30-50% в режиме ожидания.Частота функционирования новинки равна 1866 МГц при возможном напряжении в 1,35 В или 1,5 В. Появление рабочих образцов и начало массового производства 4-Гбит микросхемы памяти DDR3 намечено на конец этого года.Материалы по теме:Elpida выпустила 25-нм DDR3-чипы;Elpida урежет производство ОЗУ на 20%;Elpida выпустила DDR3 SDRAM-чип на базе технологии TSV. ...